電阻率介于金屬導(dǎo)體(10-5~10-6Ω·cm)和絕緣體(1010~1015Ω·cm)之間的材料。材料的性能可通過(guò)提純、摻雜和改變深能級(jí)缺陷等方法加以控制。半導(dǎo)體材料通常為單晶材料。半導(dǎo)體多晶材料和非晶材料以及用激光退火形成的再結(jié)晶材 (本文共 1182 字 ) [閱讀本文] >>
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 電阻率介于金屬導(dǎo)體(10-5~10-6Ω·cm)和絕緣體(1010~1015Ω·cm)之間的材料。材料的性能可通過(guò)提純、摻雜和改變深能級(jí)缺陷等方法加以控制。半導(dǎo)體材料通常為單晶材料。半導(dǎo)體多晶材料和非晶材料以及用激光退火形成的再結(jié)晶材 (本文共 1182 字 ) [閱讀本文] >>