一種6倍無(wú)源增益低OSR低功耗的二階NS SAR ADC
微電子學(xué)
頁(yè)數(shù)： 6 2024-04-20
摘要： 針對(duì)一階噪聲整形(NS)往往需要增加功耗而以較高的過(guò)采樣比(OSR)來(lái)實(shí)現(xiàn)較高的有效位數(shù)(ENOB),提出了一種低OSR、低功耗的二階無(wú)源NS SAR ADC。該無(wú)源NS模塊較高的無(wú)源增益可以更好地抑制比較器的噪聲；其殘差電壓是通過(guò)開(kāi)關(guān)MOS陣列復(fù)用積分電容實(shí)現(xiàn)采樣，從而無(wú)需額外的殘差采樣電容，避免了殘差采樣電容清零和殘差采樣時(shí)kT/C噪聲的產(chǎn)生，因此減小了總的kT/C噪聲。1...
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