一種抑制單粒子瞬態(tài)響應(yīng)的SiGe HBT工藝加固技術(shù)仿真

摘要： 基于0.13μm SiGe BiCMOS工藝，開展了無深槽NPN SiGe HBT工藝和器件仿真。模擬了帶深P阱SiGe HBT的制備過程、常規(guī)電學(xué)特性和重離子單粒子效應(yīng)。該器件與常規(guī)器件相比表現(xiàn)出更優(yōu)的單粒子瞬態(tài)(SET)特性，在關(guān)態(tài)的SET響應(yīng)峰值下降了80%,在最大特征頻率工作點(diǎn)的SET響應(yīng)峰值下降了27%,瞬態(tài)保持時(shí)間也大幅減小。使用深N阱和深P阱隔離同時(shí)抑制了集電區(qū)-...