一種三維相變存儲器1S1R存儲單元電路仿真模型

摘要： 三維相變存儲芯片1S1R存儲單元由雙向閾值選通管(OTS)和相變存儲器件(PCM)串聯(lián)組成.為了解決現(xiàn)有OTS和PCM電路仿真模型不能準確模擬器件電學特性和物理特性、不適用于限制型PCM等問題，提出了一種采用Verilog-A語言實現(xiàn)的1S1R電路仿真模型.該模型實現(xiàn)了對OTS電學特性和PCM相變過程中電流、溫度、熔融比例、晶態(tài)比例和非晶比例變化的模擬，具有良好的收斂性和較快的...