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 線缺陷的特征是在兩個(gè)方向的尺寸很小、另一個(gè)方向的尺寸相對(duì)很大。晶體中的線缺陷主要指各類位錯(cuò),位錯(cuò)是指在晶體中有一列或若干列原子發(fā)生了有規(guī)律的錯(cuò)排現(xiàn)象。錯(cuò)排區(qū)是線性的點(diǎn)陣畸變區(qū),長(zhǎng)度可達(dá)幾百至幾萬個(gè)原子間距 (共 746 字) [閱讀本文] >>