非易失存儲器

　　1.簡稱 NVM: non-volatile memory

　　2.別名 也稱作：非易失性存儲器。

　　PCM（PRAM）: Phase-change Random Access memory,相變存儲器。

　　3.信息描述 非易失性內(nèi)存的一種，利用存儲單元的可逆的相變來存儲信息。可擦寫的CD/DVD一直在用這種技術(shù)。目前主流技術(shù)是采用硫族元素（元素周期表上“氧”那一列）做的合金，一般采用的是鍺、銻、碲合金（簡稱GST）。這種合金在常溫下有兩種狀態(tài)，一種是不規(guī)則、無序的，具有較高的電阻（非晶態(tài)）；另一種是高度有序的，具有較低的電阻（晶態(tài)）。通過電脈沖局部集中加熱的方式在這兩種之間切換。和RAM一樣，相變存儲器是按位讀寫的。相比于Flash技術(shù)，相變存儲器不需要單獨(dú)的擦除步驟。讀取延遲大約在50-100納秒左右，寫入延遲大約是幾毫秒。PCM對運(yùn)行環(huán)境的溫度要求很敏感，一般工作在0-70攝氏度之間。

　　MRAM:magnetic random access memory，磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存。

　　STT-MRAM: spin-transfer-torque magnetic RAM。實(shí)驗(yàn)室階段，尚無產(chǎn)品。

　　ReRAM(RRAM): Resistive random-access memory 可變電阻式存儲器。

　　ECC（error correcting circuits）：對于BCH編碼，從k位的數(shù)據(jù)中糾正t個(gè)錯誤，至少需要t * ceil (log2k) + 1個(gè)校驗(yàn)位。ECC采用標(biāo)準(zhǔn)的Hamming碼再多加一位parity bit，于是可以檢測一位及兩位錯誤，并糾正一位錯誤?，F(xiàn)在主要是采用64+8,即72位一組，其中64位是數(shù)據(jù)，8位是校驗(yàn)。

　　ECC是為DRAM設(shè)計(jì)的，對于Flash、NVM等，應(yīng)考慮其它的方案。至少在有一點(diǎn)上有根本的不同，DRAM的錯誤一般都是臨時(shí)性的，而FLASH、PCM等都是永久的。

　　fusionIO octal：MLC Nand，如果是純512B的單位，IOPS 大約1百萬左右。以64 kB的單元讀寫，讀的帶寬是6GB/s，寫入帶寬4.4GB/s。訪問延遲30微秒。容量5.12T。

　　PCM需要程序做一些改進(jìn)：

　　1、寫之前先讀，只寫被修改的位。

　　2、每行前面加一個(gè)標(biāo)志位。稱為翻轉(zhuǎn)位。假如為1，代表其它的位是0-1翻轉(zhuǎn)過的。

　　不讀寫時(shí)可以不用通電保持?jǐn)?shù)據(jù)，解決計(jì)算機(jī)存儲和訪問速度問題。

　　NVDIMM：non-volaitle dual inline memory module,一種集成了普通DDR RAM + 非易失性FLASH芯片的內(nèi)存條。在系統(tǒng)異常掉電時(shí)，NVDIMM借助其后備超級電容作為動力源，在短時(shí)間內(nèi)將數(shù)據(jù)放入flash芯片，從而永久保存內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。相比其他介質(zhì)的非易失性內(nèi)存，NVDIMM已逐步進(jìn)入主流服務(wù)器市場，micron，viking，AGIGA等國外內(nèi)存廠商皆以推出自己的NVDIMM。國內(nèi)廠商云動科技也了推出了自己的NVDIMM產(chǎn)品，并給出了基于NVDIMM的全系統(tǒng)保護(hù)演示示例。