LED外延片

LED外延生長的基本原理

在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和SiC，Si）上，氣態(tài)物質(zhì)In,Ga,Al,P有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。

外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復雜，展完外延片，接下來就在每張外延片隨意抽取九點做測試，符合要求的就是良品，其它為不良品（電壓偏差很大，波長偏短或偏長等）。良品的外延片就要開始做電極（P極，N極），接下來就用激光切割外延片，然后百分百分撿，根據(jù)不同的電壓，波長，亮度進行全自動化分檢，也就是形成LED晶片（方片）。然后還要進行目測，把有一點缺陷或者電極有磨損的，分撿出來，這些就是后面的散晶。此時在藍膜上有不符合正常出貨要求的晶片，也就自然成了邊片或毛片等。不良品的外延片（主要是有一些參數(shù)不符合要求），就不用來做方片，就直接做電極（P極，N極），也不做分檢了，也就是目前市場上的LED大圓片。 

LED外延片襯底材料 

當前用于GaN基LED的襯底材料比較多，但是能用于商品化的襯底目前只有兩種，即藍寶石和碳化硅襯底。其它諸如GaN、Si、ZnO襯底還處于研發(fā)階段，離產(chǎn)業(yè)化還有一段距離。 　　

一、紅黃光LED 　　

紅光LED以GaP(二元系)、AlGaAs(三元系)和AlGaInP(四元系)為主，主要采用GaP和GaAs作為襯底，未產(chǎn)業(yè)化的還有藍寶石Al2O3和硅襯底。 　

1、GaAs襯底：在使用LPE生長紅光LED時，一般使用AlGaAs外延層，而使用MOCVD生長紅黃光LED時，一般生長AlInGaP外延結構。外延層生長在GaAs襯底上，由于晶格匹配，容易生長出較好的材料，但缺點是其吸收這一波長的光子，布拉格反射鏡或晶片鍵合技術被用于消除這種額外的技術問題。 　　

2、GaP襯底：在使用LPE生長紅黃光LED時，一般使用GaP外延層，波長范圍較寬565-700nm;使用VPE生長紅黃光LED時，生長GaAsP外延層，波長在630-650nm 之間;而使用MOCVD時，一般生長AlInGaP外延結構，這個結構很好的解決了GaAs襯底吸光的缺點，直接將LED結構生長在透明襯底上，但缺點是晶格失配，需要利用緩沖層來生長InGaP和AlGaInP結構。另外，GaP基的III-N-V材料系統(tǒng)也引起廣泛的興趣，這種材料結構不但可以改變帶寬，還可以在只加入0.5 %氮的情況下，帶隙的變化從間接到直接，并在紅光區(qū)域具有很強的發(fā)光效應(650nm)。采用這樣的結構制造LED，可以由GaNP 晶格匹配的異質(zhì)結構，通過一步外延形成LED結構，并省去GaAs襯底去除和晶片鍵合透明襯底的復雜工藝。 　　

二、藍綠光LED 　　

用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。 　　

1、氮化鎵襯底：用于氮化鎵生長的最理想的襯底自然是氮化鎵單晶材料，這樣可以大大提高外延片膜的晶體品質(zhì)，降低位元錯密度，提高器件工作壽命，提高發(fā)光效率，提高器件工作電流密度?？墒牵苽涞夡w單晶材料非常困難，到目前為止尚未有行之有效的辦法。有研究人員通過HVPE方法在其他襯底(如Al2O3、SiC、LGO)上生長氮化鎵厚膜，然后通過剝離技術實現(xiàn)襯底和氮化鎵厚膜的分離，分離后的氮化鎵厚膜可作為外延用的襯底。這樣獲得的氮化鎵厚膜優(yōu)點非常明顯，即以它為襯底外延的氮化鎵薄膜的位元錯密度，比在Al2O3、SiC上外延的氮化鎵薄膜的位元錯密度要明顯低;但價格昂貴。因而氮化鎵厚膜作為半導體照明的襯底之用受到限制?！　?/p>

2、藍寶石Al2O3襯底：目前用于氮化鎵生長的最普遍的襯底是Al2O3，其優(yōu)點是化學穩(wěn)定性好、不吸收可見光、價格適中、制造技術相對成熟;不足方面雖然很多，但均一一被克服，如很大的晶格失配被過渡層生長技術所克服，導電性能差通過同側P、N電極所克服，機械性能差不易切割通過雷射劃片所克服，很大的熱失配對外延層形成壓應力因而不會龜裂。但是，差的導熱性在器件小電流工作下沒有暴露出明顯不足，卻在功率型器件大電流工作下問題十分突出。 　　

3、SiC襯底：除了Al2O3襯底外，目前用于氮化鎵生長襯底就是SiC，它在市場上的占有率位居第2，目前還未有第三種襯底用于氮化鎵LED的商業(yè)化生產(chǎn)。它有許多突出的優(yōu)點，如化學穩(wěn)定性好、導電性能好、導熱性能好、不吸收可見光等，但不足方面也很突出，如價格太高、晶體品質(zhì)難以達到Al2O3和Si那麼好、機械加工性能比較差。 另外，SiC襯底吸收380 nm以下的紫外光，不適合用來研發(fā)380 nm以下的紫外LED。由于SiC襯底優(yōu)異的的導電性能和導熱性能，不需要像Al2O3襯底上功率型氮化鎵LED器件采用倒裝焊技術解決散熱問題，而是采用上下電極結構，可以比較好的解決功率型氮化鎵LED器件的散熱問題。目前國際上能提供商用的高品質(zhì)的SiC襯底的廠家只有美國CREE公司。 　　

4、Si襯底：在硅襯底上制備發(fā)光二極體是本領域中夢寐以求的一件事情，因為一旦技術獲得突破，外延片生長成本和器件加工成本將大幅度下降。Si片作為GaN材料的襯底有許多優(yōu)點，如晶體品質(zhì)高，尺寸大，成本低，易加工，良好的導電性、導熱性和熱穩(wěn)定性等。然而，由于GaN外延層與Si襯底之間存在巨大的晶格失配和熱失配，以及在GaN的生長過程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si 襯底上很難得到無龜裂及器件級品質(zhì)的GaN材料。另外，由于硅襯底對光的吸收嚴重，LED出光效率低。 　　

5、ZnO襯底：之所以ZnO作為GaN外延片的候選襯底，是因為他們兩者具有非常驚人的相似之處。兩者晶體結構相同、晶格失配度非常小，禁帶寬度接近(能帶不連續(xù)值小，接觸勢壘小)。但是，ZnO作為GaN外延襯底的致命的弱點是在GaN外延生長的溫度和氣氛中容易分解和被腐蝕。目前，ZnO半導體材料尚不能用來制造光電子器件或高溫電子器件，主要是材料品質(zhì)達不到器件水準和P型摻雜問題沒有真正解決，適合ZnO基半導體材料生長的設備尚未研制成功。今后研發(fā)的重點是尋找合適的生長方法。但是，ZnO本身是一種有潛力的發(fā)光材料。 ZnO的禁帶寬度為3.37 eV，屬直接帶隙，和GaN、SiC、金剛石等寬禁帶半導體材料相比，它在380 nm附近紫光波段發(fā)展?jié)摿ψ畲?，是高效紫光發(fā)光器件、低閾值紫光半導體雷射器的候選材料。ZnO材料的生長非常安全，可以采用沒有任何毒性的水為氧源，用有機金屬鋅為鋅源。 　　

6、ZnSe襯底：有人使用MBE在ZnSe襯底上生長ZnCdSe/ZnSe等材料，用于藍光和綠光LED器件，最先由住友公司推出，由于其不需要熒光粉就可以實現(xiàn)白光LED的目標，故可降低成品，同時電源回路構造簡單，其操作電壓也比GaN白光LED低。但是其并沒有推廣，這是因為由于使用MOCVD，p型參雜沒有很好解決，試驗中需要用到Sb來參雜，所以一般采用MBE生長，同時其發(fā)光效率較低，，而且由于自補償效應的影響，使得其性能不穩(wěn)定，器件壽命較短。 　　

實現(xiàn)發(fā)光效率的目標要寄希望于GaN襯底的LED，實現(xiàn)低成本，也要通過GaN襯底導致高效、大面積、單燈大功率的實現(xiàn)，以及帶動的工藝技術的簡化和成品率的大大提高。半導體照明一旦成為現(xiàn)實，其意義不亞于愛迪生發(fā)明白熾燈。一旦在襯底等關鍵技術領域取得突破，其產(chǎn)業(yè)化進程將會取得長足發(fā)展。