太陽能薄膜電池

　　簡介

　　太陽能薄膜電池，重量輕，厚度薄.可彎曲，易攜帶.

　　傳統(tǒng)硅晶電池由于由硅晶體組成，電池主要部分易碎，易產(chǎn)生隱形裂紋，大多有一層鋼化玻璃作為防護，造成重量大，攜帶不便，抗震能力差，造價高，效率或多或少降低.

　　太陽能薄膜電池克服了上述缺點，但并沒有傳統(tǒng)硅晶電池轉(zhuǎn)化效率高.太陽能薄膜電池的轉(zhuǎn)化效率之提升是太陽能科技界正在研究的主方向.由于尚未完全成熟，大規(guī)模生產(chǎn)仍有一定風險，但勢必會在太陽能領域占有重要地位.其發(fā)展前景非?？春谩?/p>

　　太陽能薄膜電池有：銅銦硒太陽能薄膜電池硅粒晶體太陽能電池

　　定義

　　非晶硅(a-Si)太陽電池是在玻璃(glass)襯底上沉積透明導電膜(TCO)，然后依次用等離子體反應沉積p型、i型、n型三層a-Si，接著再蒸鍍金屬電極鋁(Al).光從玻璃面入射，電池電流從透明導電膜和鋁引出，其結(jié)構(gòu)可表示為glass/TCO/pin/Al，還可以用不銹鋼片、塑料等作襯底。硅材料是太陽電池的主導材料，在成品太陽電池成本份額中，硅材料占了將近40%，而非晶硅太陽電池的厚度不到1μm，不足晶體硅太陽電池厚度的1/100，這就大大降低了制造成本，又由于非晶硅太陽電池的制造溫度很低(～200℃)、易于實現(xiàn)大面積等優(yōu)點，使其在薄膜太陽電池中占據(jù)首要地位，在制造方法方面有電子回旋共振法、光化學氣相沉積法、直流輝光放電法、射頻輝光放電法、濺謝法和熱絲法等。特別是射頻輝光放電法由于其低溫過程(～200℃)，易于實現(xiàn)大面積和大批量連續(xù)生產(chǎn)，現(xiàn)成為國際公認的成熟技術。在材料研究方面，先后研究了a-SiC窗口層、梯度界面層、μC-SiCp層等，明顯改善了電池的短波光譜響應.這是由于a-Si太陽電池光生載流子的生成主要在i層，入射光到達i層之前部分被p層吸收，對發(fā)電是無效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更寬的光學帶隙，因此減少了對光的吸收，使到達i層的光增加；加之梯度界面層的采用，改善了a-SiC/a-Si異質(zhì)結(jié)界面光電子的輸運特性.在增加長波響應方面，采用了絨面TCO膜、絨面多層背反射電極(ZnO/Ag/Al)和多帶隙疊層結(jié)構(gòu)，即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al結(jié)構(gòu).絨面TCO膜和多層背反射電極減少了光的反射和透射損失，并增加了光在i層的傳播路程，從而增加了光在i層的吸收.多帶隙結(jié)構(gòu)中，i層的帶隙寬度從光入射方向開始依次減小，以便分段吸收太陽光，達到拓寬光譜響應、提高轉(zhuǎn)換效率之目的。在提高疊層電池效率方面還采用了漸變帶隙設計、隧道結(jié)中的微晶化摻雜層等，以改善載流子收集。

　　產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　已經(jīng)能進行產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)的薄膜電池主要有3種：硅基薄膜太陽能電池、銅銦鎵硒薄膜太陽能電池（CIGS）、碲化鎘薄膜太陽能電池（CdTe）。

　　薄膜太陽能電池雖然早已出現(xiàn)，但由于光電轉(zhuǎn)換效率低、衰減率（光致衰退率）較高等問題，前些年未引起業(yè)界的足夠關注，市場占有率很低。隨著其技術的不斷進步，光電轉(zhuǎn)換效率得到迅速提高，約提升了30%-40%，雖然仍然與晶體硅電池相比有很大差距，但其用料少、工藝簡單、能耗低，成本有一定優(yōu)勢，越來越被業(yè)界所接受。因此，薄膜太陽能電池產(chǎn)業(yè)得到較快發(fā)展。[1]