.jpg)
 電化學(xué)蝕刻(electrochemicaletching)是較好的制備多孔硅技術(shù),可以形成多重布拉格反射鏡(multipleBraggreflector),應(yīng)用于光學(xué)諧振腔(opticalresonantcavity)??梢酝ㄟ^(guò)孔隙率(porosity)控制多重布拉格反射鏡層的折射率,而孔隙率由電化學(xué)蝕刻的電流密 (共 2019 字) [閱讀本文] >>
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