.jpg)
 溶液生長(SolutionGrowth,SG)在基理上不同于化學(xué)氣相沉積CVD,使用液體介質(zhì)而不是氣體環(huán)境作為前驅(qū)物來源,當(dāng)SG應(yīng)用于在晶體襯底上生長外延層,也被稱為液相外延LPE[31]。在SG中,Si的生長出于金屬熔體(melt),典型金屬熔體為Sn或In,有時使用 (共 1970 字) [閱讀本文] >>
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 溶液生長(SolutionGrowth,SG)在基理上不同于化學(xué)氣相沉積CVD,使用液體介質(zhì)而不是氣體環(huán)境作為前驅(qū)物來源,當(dāng)SG應(yīng)用于在晶體襯底上生長外延層,也被稱為液相外延LPE[31]。在SG中,Si的生長出于金屬熔體(melt),典型金屬熔體為Sn或In,有時使用 (共 1970 字) [閱讀本文] >>